Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10    Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках. Квант. электрон. , Т.6,N10 , с. C.2209-2214 , 01.1979   Пенин Н.А. ,     Болтаев А.П. Влияние одноосного сжатия на разогревание носителей заряда в германии р-типа слабым электрическим полем. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N5 , с. C.965-968 , 01.1979   Пенин Н.А. ,     Болтаев А.П. Влияние междырочных столкновений на подвижность носителей заряда в германии р-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N3 , с. C.612-614 , 01.1979   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок в германии с примесью цинка. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N9 , с. С.1771-1774 , 01.1979   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Влияние случайного поля на энергию активации второго уровня цинка в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N8 , с. C.1486-1492 , 01.1981   Пенин Н.А. ,     Максимовский С.Н. ,     Нолле Э.Л. ,     Лойко Н.Н. ,     Петров А.Э. ,     Турьянский А.Г. Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости. Физ. тверд. тела , Т.24,N9 , с. C.2595-2598 , 01.1982   Пенин Н.А. О длине экранирования в примесном полупроводнике. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N3 , с. C.431-436 , 01.1983   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А. Зависимость времени жизни неравновесных дырок в р-германии от концентрации центров рекомбинации - ионов Zn - и температуры. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N4 , с. C.674-678 , 01.1983   Пенин Н.А. ,     Соловьев Н.Н. ,     Галкин М.Г. Спектр возбужденных состояний однократно заряженного иона цинка в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N4 , с. C.740-742 , 01.1983   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Определение степени компенсации в примесном полупроводнике по измерениям оптического поглощения. Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.285-288 , 01.1984