Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Засавицкий И.И.

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13 


  1.   Засавицкий И.И. ,     Лишка К.. ,     Хайнрих Х..
    О ян-теллеровском центре в Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N6 , с. C.1058-1063 , 01.1985

  2.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т. ,     Панкратов О.А.
    Двухэлектронный захват и параметры ян-теллеровского центра в Pb_1-xSn_xTe:In. Письма в ЖЭТФ , Т.42,N1 , с. P.3-6 , 01.1985

  3.   Засавицкий И.И. ,     Гинодман В.Б. ,     Гуденко А.В. ,     Ягубский Э.Б.
    Метастабильное состояние "бета"-(BEDT-TTF)_2J_3 с температурой сверхпроводящего перехода 7,5 К. Письма в ЖЭТФ , Т.42,N9 , с. C.384-386 , 01.1985

  4.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В.
    Фотолюминесценция квантово-размерных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Письма в ЖЭТФ , Т.43,N3 , с. C.140-142 , 01.1986

  5.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.214-220 , 01.1986

  6.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Крюков П.В. ,     Алимпиев С.С. ,     Сартаков Б.Г. ,     Карлов Н.В. ,     Набиев Ш.Ш.
    Лазерная спектроскопия составного колебания v_2+v_4 молекулы CF_4 и перестроечные кривые СF_4-лазера. Квант. электрон. , Т.7,N9 , с. C.1885-1894 , 01.1980

  7.   Астахов В.И. ,     Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Перов А.Н. ,     Галактионов В.В. ,     Тищенко А.Ю. ,     Трофимов В.Т. ,     Хаттатов В.У.
    Измерение концентрации окиси углерода в приземном слое атмосферы с использованием перестраиваемых диодных лазеров. Мониторинг фонового загрязнения природных сред / Под ред. Ю.А.Израэля, Ф.Я.Ровинского , Вып.1 , с. С.175-180 , 01.1982

  8.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe. Пр.ФИАН , N194 , с. C.1-23 , 01.1983

  9.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Киселева К.В. ,     Сенков В.М.
    Индуцированные токи короткого замыкания в p-n переходах на основе Pb_1-xSn_xSe. Кратк. сообщ. по физ. , N2 , с. C.39-42 , 01.1985

  10.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Степанов Е.В. ,     Тищенко А.Ю. ,     Алимпиев С.С. ,     Хохлов Э.М. ,     Хуснутдинов А.Н.
    Диодная лазерная спектроскопия столкновительного уширения линий поглощения многоатомных молекул: корреляционный метод исследования. Пр. ИОФАН , N23 , с. C.2-31 , 01.1986



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007