Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Засавицкий И.И.

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13 


  1.   Соболев Н.Н. ,     Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Очкин В.Н. ,     Савинов С.Ю. ,     Спиридонов М.В. ,     Керимкулов М.А. ,     Исламов Р.Ш. ,     Конев Ю.Б.
    Кинетика формирования распределений молекул СО_2 по колебательно-вращательным уровням в активной среде волноводного СО_2 лазера. Пр. ФИАН , N218 , с. 35 c. c илл. , 01.1989

  2.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Степанов Е.В.
    Измерение параметров частотных флуктуаций диодного импульсно-периодического лазера. Квант. электрон. , Т.12,N2 , с. C.385-386 , 01.1985

  3.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Зломанов В.П. ,     Флусов Г.В. ,     Трофимов В.Т. ,     Кашкур И.П.
    Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb_1-xSn_xSe. Ж. техн. физ. , Т.51,N5 , с. C.943-948 , 01.1981

  4.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Флусов Г.В. ,     Старик П.М.
    Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2275-2277 , 01.1981

  5.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Крюков П.В. ,     Перов А.Н. ,     Степанов Е.В. ,     Рааб З.
    Диодный лазер среднего ИК диапазона с внешним резонатором. Квант. электрон. , Т.10,N2 , с. C.445-447 , 01.1983

  6.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Отрицательная фотопроводимость в Pb_1-xSn_x_Te:In. Письма в ЖЭТФ , Т.37,N10 , с. P.456-459 , 01.1983

  7.   Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Поляков Ю.А. ,     Широков А.М. ,     Мазур Ю.И.
    Влияние гидростатического давления на спектры примесной фотопроводимости в теллуре. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N1 , с. C.69-72 , 01.1983

  8.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983

  9.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Троицкий В.Ф. ,     Трофимов В.Т. ,     Изворян А.А.
    Криостат с регулируемой температурой для магнитооптических измерений. Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.199-201 , 01.1984

  10.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Курганский А.В. ,     Валейко М.В. ,     Кузнецов В.Л.
    Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe_1-xTe_x (0<= x <=1). Физ. и техн. полупровод. , Vol.19,N4 , с. C.627-631 , 01.1985



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007